三位成电人当选2019年度IEEE Fellow
来源:成电新闻网

  日前,国际电气与电子工程师协会(IEEE,The Institute of Electrical and Electronics Engineers)2019年度IEEE Fellow(会士)名单揭晓,陈星弼院士因对功率超结金属氧化物半导体场效应晶体管的突出贡献当选IEEE Fellow。此外,1981级校友卿显明、1987级校友李鸿彬分别凭借在无线射频系统天线、雷达信号方面的贡献当选IEEE Fellow。

  本次IEEE Fellow一共新增295人,华人群体占比约1/3,其中有40余位中国学者当选。陈星弼院士此次当选后,我校师资队伍中已有23位IEEE Fellow。

陈星弼(1931.01生)中国科学院院士  微电子专家.jpg

  陈星弼是中国科学院院士,国际著名微电子学家,被誉为“中国功率器件领路人”。他是我国第一批学习及从事半导体科技的人员之一,是原电子部“半导体器件与微电子学”专业第一个博士生导师且获得第一个博士点。他从1981年起开始对功率半导体器件进行研究,第一个提出了各种终端技术的物理解释及解析理论。他提出了两类纵向导电的器件新耐压结构,并作了唯一的三维电场分析结果,被国际学术界誉为功率器件的新里程碑。他发表超过170篇论文和40项发明专利,其中著名的超结发明被国际专利他引超过550次;发表著作逾10部,主持完成多项国家重点项目并屡次获得国家奖。因对高压功率MOSFET理论与设计的卓越贡献,陈院士于2015年5月获得IEEE ISPSD大会颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”,是亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年5月,因发明的超结器件而入选IEEE ISPSD首届全球名人堂(全球共32位,国内首位)。从1956年至今,陈院士将六十余载美好年华奉献给了成电,他曾任我校微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长,于1989年主持创建了我校“半导体器件与微电子学”博士点,为我校微电子与固体电子学科的发展做出了卓越贡献。

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  卿显明于1985年在我校获得工学学士学位,2010年在日本千叶大学获得博士学位。1987年到1996年,卿显明在我校从事教学和研究工作;1997年,他以研究科学家的身份加入新加坡国立大学;从1998年起,在新加坡信息通信研究所工作,目前担任高级科学家和天线系统实验室主任。他发表了200多篇国际期刊或会议论文,以及撰写了7本专著章节。研究领域包括天线设计,RFID系统和医学成像系统,微波、毫米波、亚毫米波和太赫兹成像系统。卿显明现任国际微波与无线技术杂志等三个杂志的副主编,是2015年IEEE亚太天线和传播会议共同主席,还多次获得新加坡科技研究局工程成就奖等奖励。

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  李鸿彬分别于1991年、1994年在我校获得本科和硕士学位,1999年在美国佛罗里达大学获得博士学位,长期致力于信号处理的研究工作,在谱估计、阵列信号处理、压缩感知及稀疏信号处理等领域,取得了一系列重要的研究成果。在国际重要学术期刊和会议共发表论文200余篇,担任IEEE 信号处理学会信号处理理论与方法技术(SPTM)委员会与传感阵列多通道信号处理技术(SAM)委员会委员,现任或曾经担任包括IEEE Trans. Signal Process.和IEEE Trans.Wireless Commun.等在内的期刊编委。现为美国斯蒂文斯理工学院(Stevens Instituteof Technology)电子工程与计算机系教授。


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